製造商產品編號:
TPN4R303NL,L1Q
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
TPN4R303NL,L1Q-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
详细描述:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 700mW (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
庫存:
4115 全新原裝現貨
12890048
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TPN4R303NL,L1Q 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
U-MOSVIII-H
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
40A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.3V @ 200µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
14.8 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1400 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
700mW (Ta), 34W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-TSON Advance (3.1x3.1)
包裝 / 外殼
8-PowerVDFN
基本產品編號
TPN4R303
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
5,000
其他名稱
264-TPN4R303NL,L1QDKR
TPN4R303NL,L1Q(M
TPN4R303NLL1QCT
264-TPN4R303NL,L1QTR
TPN4R303NLL1QTR
TPN4R303NLL1QDKR
TPN4R303NLL1QTR-DG
264-TPN4R303NL,L1QCT
TPN4R303NLL1QDKR-DG
TPN4R303NLL1QCT-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
RoHS Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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