TPH2900ENH,L1Q
製造商產品編號:

TPH2900ENH,L1Q

Product Overview

製造商:

Toshiba Semiconductor and Storage

零件編號:

TPH2900ENH,L1Q-DG

描述:

MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
详细描述:
N-Channel 200 V 33A (Ta) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

庫存:

13703 全新原裝現貨
12890620
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TPH2900ENH,L1Q 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
U-MOSVIII-H
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
200 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
33A (Ta)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 1mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
78W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-SOP Advance (5x5)
包裝 / 外殼
8-PowerVDFN
基本產品編號
TPH2900

資料表及文件

數據表

額外資訊

標準套餐
5,000
其他名稱
TPH2900ENHL1QTR
TPH2900ENH,L1Q(M
TPH2900ENHL1QDKR
TPH2900ENHL1QCT

環境及出口分類

RoHS 狀態
RoHS Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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