製造商產品編號:
TPH2900ENH,L1Q
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
TPH2900ENH,L1Q-DG
描述:
MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
详细描述:
N-Channel 200 V 33A (Ta) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
庫存:
13703 全新原裝現貨
12890620
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
TPH2900ENH,L1Q 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
U-MOSVIII-H
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
33A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2200 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
78W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-SOP Advance (5x5)
包裝 / 外殼
8-PowerVDFN
基本產品編號
TPH2900
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
5,000
其他名稱
TPH2900ENHL1QTR
TPH2900ENH,L1Q(M
TPH2900ENHL1QDKR
TPH2900ENHL1QCT
環境及出口分類
RoHS 狀態
RoHS Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
SSM6K341NU,LF
MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB
TK45P03M1,RQ(S
MOSFET N-CH 30V 45A DPAK
TK40S10K3Z(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 100V 40A DPAK
