製造商產品編號:
TK9A90E,S4X
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
TK9A90E,S4X-DG
描述:
MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS
详细描述:
N-Channel 900 V 9A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
庫存:
95 全新原裝現貨
12890939
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TK9A90E,S4X 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tube
系列
π-MOSVIII
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
900 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
9A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 900µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2000 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
50W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220SIS
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
TK9A90
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
TK9A90E,S4X(S
TK9A90ES4X
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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