製造商產品編號:
TK6Q65W,S1Q
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
TK6Q65W,S1Q-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK
详细描述:
N-Channel 650 V 5.8A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-Pak
庫存:
75 全新原裝現貨
12890349
請求報價
數量
最低限1
最低限1
Fo8L
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
TK6Q65W,S1Q 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tube
系列
DTMOSIV
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
5.8A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 180µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
390 pF @ 300 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
60W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
I-PAK
包裝 / 外殼
TO-251-3 Stub Leads, IPak
基本產品編號
TK6Q65
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
75
其他名稱
TK6Q65W,S1Q(S
TK6Q65WS1Q
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
TPH2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
TPH11003NL,LQ
MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
TPW1R005PL,L1Q
MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
