製造商產品編號:
TK4P60DB(T6RSS-Q)
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
TK4P60DB(T6RSS-Q)-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK
详细描述:
N-Channel 600 V 3.7A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
庫存:
12890318
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TK4P60DB(T6RSS-Q) 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
-
系列
π-MOSVII
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
3.7A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.4V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
540 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
80W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
DPAK
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
TK4P60
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
2,000
其他名稱
TK4P60DBT6RSSQ
環境及出口分類
RoHS 狀態
RoHS Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPD80R2K4P7ATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
2421
部件號碼
IPD80R2K4P7ATMA1-DG
單位價格
0.29
替代類型
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