製造商產品編號:
TK39J60W,S1VQ
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
TK39J60W,S1VQ-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
详细描述:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
庫存:
22 全新原裝現貨
12890771
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TK39J60W,S1VQ 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tube
系列
DTMOSIV
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
38.8A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.7V @ 1.9mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
4100 pF @ 300 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
270W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-3P(N)
包裝 / 外殼
TO-3P-3, SC-65-3
基本產品編號
TK39J60
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
25
其他名稱
TK39J60WS1VQ
TK39J60W,S1VQ(O
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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