TK2P60D(TE16L1,NV)
製造商產品編號:

TK2P60D(TE16L1,NV)

Product Overview

製造商:

Toshiba Semiconductor and Storage

零件編號:

TK2P60D(TE16L1,NV)-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
详细描述:
N-Channel 600 V 2A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount PW-MOLD

庫存:

12891222
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

TK2P60D(TE16L1,NV) 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
-
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
2A (Ta)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.4V @ 1mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
280 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
60W (Tc)
工作溫度
150°C
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PW-MOLD
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
TK2P60

資料表及文件

數據表

額外資訊

標準套餐
2,000
其他名稱
TK2P60D(TE16L1NV)

環境及出口分類

RoHS 狀態
RoHS Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
STD3NK80ZT4
製造商
STMicroelectronics
可用數量
2502
部件號碼
STD3NK80ZT4-DG
單位價格
0.61
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K16CTC,L3F

MOSFET N-CH 20V 200MA CST3C

toshiba-semiconductor-and-storage

TK7P60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 7A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

2SJ438,Q(M

MOSFET P-CH TO220NIS

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K361TU,LF

MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM