TK25S06N1L,LQ
製造商產品編號:

TK25S06N1L,LQ

Product Overview

製造商:

Toshiba Semiconductor and Storage

零件編號:

TK25S06N1L,LQ-DG

描述:

MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
详细描述:
N-Channel 60 V 25A (Ta) 57W (Tc) Surface Mount DPAK+

庫存:

1488 全新原裝現貨
12942787
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TK25S06N1L,LQ 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
U-MOSVIII-H
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
25A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 100µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
855 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
57W (Tc)
工作溫度
175°C
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
DPAK+
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
TK25S06

額外資訊

標準套餐
2,000
其他名稱
264-TK25S06N1L,LQDKR
64320
264-TK25S06N1L,LQTR
264-TK25S06N1L,LQCT
264-TK25S06N1LLQTR-DG
264-TK25S06N1LLQTR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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