製造商產品編號:
TK25N60X,S1F
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
TK25N60X,S1F-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
详细描述:
N-Channel 600 V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-247
庫存:
12889157
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TK25N60X,S1F 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tube
系列
DTMOSIV-H
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
25A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 1.2mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2400 pF @ 300 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
180W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
TK25N60
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
TK25N60XS1F
TK25N60X,S1F(S
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPW65R125C7XKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
80
部件號碼
IPW65R125C7XKSA1-DG
單位價格
2.31
替代類型
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