製造商產品編號:
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)-DG
描述:
MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
详细描述:
P-Channel 60 V 8A (Ta) 27W (Tc) Surface Mount DPAK+
庫存:
12889330
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ) 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
U-MOSVI
產品狀態
Active
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
8A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
104mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
+10V, -20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
890 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
27W (Tc)
工作溫度
175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
DPAK+
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
TJ8S06
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
2,000
其他名稱
TJ8S06M3LT6L1NQ
264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)CT
264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TR
TJ8S06M3L(T6L1NQ)-DG
264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)DKR
TJ8S06M3L(T6L1NQ)
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
SPD18P06PGBTMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
8345
部件號碼
SPD18P06PGBTMA1-DG
單位價格
0.48
替代類型
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