製造商產品編號:
SSM6J213FE(TE85L,F
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
SSM6J213FE(TE85L,F-DG
描述:
MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
详细描述:
P-Channel 20 V 2.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
庫存:
12891203
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SSM6J213FE(TE85L,F 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
U-MOSVI
產品狀態
Active
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
20 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
2.6A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
4.7 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±8V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
290 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
500mW (Ta)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
ES6
包裝 / 外殼
SOT-563, SOT-666
基本產品編號
SSM6J213
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
4,000
其他名稱
SSM6J213FETE85LF
SSM6J213FE(TE85LFTR
SSM6J213FE(TE85LFCT
SSM6J213FE(TE85LFDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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