RN4909(T5L,F,T)
製造商產品編號:

RN4909(T5L,F,T)

Product Overview

製造商:

Toshiba Semiconductor and Storage

零件編號:

RN4909(T5L,F,T)-DG

描述:

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6

庫存:

12889087
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

RN4909(T5L,F,T) 技術規格

類別
雙極性晶體管 (BJT), 雙極性晶體管陣列,預偏置
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
晶體管類型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流 - 集電極 (Ic) (Max)
100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大值)
50V
電阻器 - 基座 (R1)
47kOhms
電阻器 - 發射極基極 (R2)
22kOhms
直流電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce 飽和度(最大值) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
電流 - 集電極截止(最大值)
100nA (ICBO)
頻率 - 過渡
200MHz
功率 - 最大值
200mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包
US6
基本產品編號
RN4909

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
RN4909(T5LFT)DKR
RN4909(T5LFT)CT
RN4909(T5LFT)TR

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

部件編號
SMUN5237DW1T1G
製造商
onsemi
可用數量
2978
部件號碼
SMUN5237DW1T1G-DG
單位價格
0.03
替代類型
Upgrade
部件編號
PUMD17,115
製造商
NXP USA Inc.
可用數量
298700
部件號碼
PUMD17,115-DG
單位價格
0.02
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1971TE85LF

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2711JE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2907(T5L,F,T)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1611(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6