製造商產品編號:
RN2961(TE85L,F)
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
RN2961(TE85L,F)-DG
描述:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
庫存:
2383 全新原裝現貨
12889203
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RN2961(TE85L,F) 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 雙極性晶體管陣列，預偏置
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
50V
電阻器 - 基座 （R1）
4.7kOhms
電阻器 - 發射極基極 （R2）
4.7kOhms
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 250µA, 5mA
電流 - 集電極截止（最大值）
100nA (ICBO)
頻率 - 過渡
200MHz
功率 - 最大值
200mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包
US6
基本產品編號
RN2961
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
RN2961(TE85LF)CT
RN2961(TE85LF)DKR
RN2961(TE85LF)TR
環境及出口分類
RoHS 狀態
RoHS Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
DIGI 認證
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