製造商產品編號:
RN1971FE(TE85L,F)
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
RN1971FE(TE85L,F)-DG
描述:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
庫存:
12889362
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RN1971FE(TE85L,F) 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 雙極性晶體管陣列，預偏置
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
晶體管類型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
50V
電阻器 - 基座 （R1）
10kOhms
電阻器 - 發射極基極 （R2）
-
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 250µA, 5mA
電流 - 集電極截止（最大值）
100nA (ICBO)
頻率 - 過渡
250MHz
功率 - 最大值
100mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-563, SOT-666
供應商設備包
ES6
基本產品編號
RN1971
額外資訊
標準套餐
4,000
其他名稱
RN1971FE(TE85LF)TR
RN1971FE(TE85LF)CT
RN1971FE(TE85LF)DKR
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
部件編號
RN1111MFV,L3F
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
7278
部件號碼
RN1111MFV,L3F-DG
單位價格
0.02
替代類型
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