RN1906(T5L,F,T)
製造商產品編號:

RN1906(T5L,F,T)

Product Overview

製造商:

Toshiba Semiconductor and Storage

零件編號:

RN1906(T5L,F,T)-DG

描述:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6

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RN1906(T5L,F,T) 技術規格

類別
雙極性晶體管 (BJT), 雙極性晶體管陣列，預偏置
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
晶體管類型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
50V
電阻器 - 基座 （R1）
4.7kOhms
電阻器 - 發射極基極 （R2）
47kOhms
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 250µA, 5mA
電流 - 集電極截止（最大值）
100nA (ICBO)
頻率 - 過渡
250MHz
功率 - 最大值
200mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包
US6
基本產品編號
RN1906

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
RN1906(T5LFT)TR
RN1906(T5LFT)DKR
RN1906(T5LFT)CT
RN1906T5LFT

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

部件編號
NSVMUN5233DW1T3G
製造商
onsemi
可用數量
10000
部件號碼
NSVMUN5233DW1T3G-DG
單位價格
0.03
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可用數量
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0.03
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製造商
Diodes Incorporated
可用數量
14177
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單位價格
0.07
替代類型
Upgrade
部件編號
PUMD13,135
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
9840
部件號碼
PUMD13,135-DG
單位價格
0.02
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部件編號
PUMH13,115
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
6187
部件號碼
PUMH13,115-DG
單位價格
0.03
替代類型
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DIGI 認證
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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