製造商產品編號:
RN1902FE,LF(CT
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
RN1902FE,LF(CT-DG
描述:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
庫存:
22 全新原裝現貨
12891079
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RN1902FE,LF(CT 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 雙極性晶體管陣列，預偏置
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
50V
電阻器 - 基座 （R1）
10kOhms
電阻器 - 發射極基極 （R2）
1kOhms
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 250µA, 5mA
電流 - 集電極截止（最大值）
100nA (ICBO)
頻率 - 過渡
250MHz
功率 - 最大值
100mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-563, SOT-666
供應商設備包
ES6
基本產品編號
RN1902
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
4,000
其他名稱
RN1902FE(T5L,F,T)
RN1902FE(T5LFT)TR
RN1902FELF(CTCT
RN1902FELF(CTTR
RN1902FE(T5LFT)TR-DG
RN1902FE(T5LFT)CT
RN1902FE(T5LFT)CT-DG
RN1902FE,LF(CB
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
DIGI 認證
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