製造商產品編號:
RN1441ATE85LF
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
RN1441ATE85LF-DG
描述:
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20 V 300 mA 30 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
庫存:
12890575
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RN1441ATE85LF 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單一預偏壓雙極晶體管
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
晶體管類型
NPN - Pre-Biased
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
300 mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
20 V
電阻器 - 基座 （R1）
5.6 kOhms
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
200 @ 4mA, 2V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
100mV @ 3mA, 30mA
電流 - 集電極截止（最大值）
100nA (ICBO)
頻率 - 過渡
30 MHz
功率 - 最大值
200 mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包
S-Mini
基本產品編號
RN1441
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
RN1441-A(TE85L,F)
RN1441ATE85LFDKR
RN1441ATE85LFCT
RN1441ATE85LFTR
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
DIGI 認證
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