製造商產品編號:
RN1119MFV,L3F
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
RN1119MFV,L3F-DG
描述:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
庫存:
8000 全新原裝現貨
12891517
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RN1119MFV,L3F 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單一預偏壓雙極晶體管
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
NPN - Pre-Biased
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
100 mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
50 V
電阻器 - 基座 （R1）
1 kOhms
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 500µA, 5mA
電流 - 集電極截止（最大值）
100nA (ICBO)
功率 - 最大值
150 mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-723
供應商設備包
VESM
基本產品編號
RN1119
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
8,000
其他名稱
RN1119MFVL3F-DG
264-RN1119MFV,L3FTR
RN1119MFVL3F
264-RN1119MFV,L3FDKR
264-RN1119MFV,L3FCT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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