製造商產品編號:
HN4B102J(TE85L,F)
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
HN4B102J(TE85L,F)-DG
描述:
PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 1.8A, 2A 750mW Surface Mount SMV
庫存:
2900 全新原裝現貨
12988801
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HN4B102J(TE85L,F) 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 雙極型晶體管陣列
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
NPN, PNP
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
1.8A, 2A
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
30V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
電流 - 集電極截止（最大值）
100nA (ICBO)
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
200 @ 200mA, 2V
功率 - 最大值
750mW
頻率 - 過渡
-
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SC-74A, SOT-753
供應商設備包
SMV
基本產品編號
HN4B102
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
264-HN4B102J(TE85LF)TR
264-HN4B102J(TE85LF)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)DKR
264-HN4B102J(TE85L,F)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)TR
264-HN4B102J(TE85L,F)CT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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