製造商產品編號:
2SA1930(LBS2MATQ,M
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
2SA1930(LBS2MATQ,M-DG
描述:
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
庫存:
12890736
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2SA1930(LBS2MATQ,M 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單極雙極電晶體
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
2 A
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
180 V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
1V @ 100mA, 1A
電流 - 集電極截止（最大值）
5µA (ICBO)
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 100mA, 5V
功率 - 最大值
2 W
頻率 - 過渡
200MHz
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
供應商設備包
TO-220NIS
基本產品編號
2SA1930
額外資訊
標準套餐
1
其他名稱
2SA1930(LBS2MATQM
2SA1930LBS2MATQM
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI 認證
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