TSM4NB60CI
製造商產品編號:

TSM4NB60CI

Product Overview

製造商:

Taiwan Semiconductor Corporation

零件編號:

TSM4NB60CI-DG

描述:

600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
详细描述:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220

庫存:

12998613
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TSM4NB60CI 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Taiwan Semiconductor
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
4A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.5V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
25W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
ITO-220
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
基本產品編號
TSM4

資料表及文件

數據表

額外資訊

標準套餐
4,000
其他名稱
1801-TSM4NB60CI

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IRFIBC30GPBF
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
1568
部件號碼
IRFIBC30GPBF-DG
單位價格
1.22
替代類型
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