製造商產品編號:
TSM4NB60CI
Product Overview
製造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
零件編號:
TSM4NB60CI-DG
描述:
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
详细描述:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220
庫存:
12998613
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TSM4NB60CI 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Taiwan Semiconductor
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
4A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
500 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
25W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
ITO-220
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
基本產品編號
TSM4
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
4,000
其他名稱
1801-TSM4NB60CI
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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