製造商產品編號:
STW35N65M5
Product Overview
製造商:
STMicroelectronics
零件編號:
STW35N65M5-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 27A TO247-3
详细描述:
N-Channel 650 V 27A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3
庫存:
12871625
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STW35N65M5 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
STMicroelectronics
包裝
-
系列
MDmesh™ V
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
27A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
98mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
3750 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
160W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247-3
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
STW35N
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
STW35N65M5-DG
-497-11000-5
497-11000-5
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPW65R095C7XKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
2486
部件號碼
IPW65R095C7XKSA1-DG
單位價格
3.02
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FCH077N65F-F155
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