製造商產品編號:
STW35N60M2-EP
Product Overview
製造商:
STMicroelectronics
零件編號:
STW35N60M2-EP-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V TO247
详细描述:
N-Channel 600 V 26A (Tc) Through Hole TO-247
庫存:
12873519
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STW35N60M2-EP 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
STMicroelectronics
包裝
-
系列
MDmesh™ M2-EP
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
26A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs（th） （最大值） @ Id
-
Vgs （最大值）
-
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
STW35N
額外資訊
標準套餐
600
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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