製造商產品編號:
STU6N65M2
Product Overview
製造商:
STMicroelectronics
零件編號:
STU6N65M2-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
详细描述:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
庫存:
543 全新原裝現貨
12879599
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STU6N65M2 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
STMicroelectronics
包裝
Tube
系列
MDmesh™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
4A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
226 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
60W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-251 (IPAK)
包裝 / 外殼
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本產品編號
STU6N65
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
75
其他名稱
-497-15044-5
497-15044-5
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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