製造商產品編號:
STP35N65DM2
Product Overview
製造商:
STMicroelectronics
零件編號:
STP35N65DM2-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 32A TO220
详细描述:
N-Channel 650 V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
庫存:
12876724
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STP35N65DM2 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
STMicroelectronics
包裝
Tube
系列
MDmesh™ DM2
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
32A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
56.3 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2540 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
250W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
STP35
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
1,000
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
STW35N65DM2
製造商
STMicroelectronics
可用數量
360
部件號碼
STW35N65DM2-DG
單位價格
3.01
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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