STI10NM60N
製造商產品編號:

STI10NM60N

Product Overview

製造商:

STMicroelectronics

零件編號:

STI10NM60N-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
详细描述:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

庫存:

970 全新原裝現貨
12877207
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STI10NM60N 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
STMicroelectronics
包裝
Tube
系列
MDmesh™ II
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
10A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±25V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
540 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
70W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-262 (I2PAK)
包裝 / 外殼
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
基本產品編號
STI10N

資料表及文件

數據表

額外資訊

標準套餐
50
其他名稱
497-13839-5
-497-13839-5

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
STU10N60M2
製造商
STMicroelectronics
可用數量
59
部件號碼
STU10N60M2-DG
單位價格
1.24
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