製造商產品編號:
STH180N10F3-6
Product Overview
製造商:
STMicroelectronics
零件編號:
STH180N10F3-6-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
详细描述:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
庫存:
12879334
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STH180N10F3-6 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
STMicroelectronics
包裝
-
系列
STripFET™ III
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
180A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
114.6 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
6665 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
315W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
H2PAK-6
包裝 / 外殼
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
基本產品編號
STH180
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
497-11840-6
-497-11840-6
STH180N10F36
-497-11840-2
497-11840-2
-497-11840-1
497-11840-1
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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