製造商產品編號:
STD15N60M2-EP
Product Overview
製造商:
STMicroelectronics
零件編號:
STD15N60M2-EP-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
详细描述:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
庫存:
12877364
請求報價
數量
最低限1
最低限1
NLkx
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
STD15N60M2-EP 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
STMicroelectronics
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
MDmesh™ M2-EP
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
11A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
378mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
590 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
110W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
DPAK
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
STD15
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
-1138-STD15N60M2-EPDKR
497-15899-1
-1138-STD15N60M2-EPCT
497-15899-2
-1138-STD15N60M2-EPTR
497-15899-6
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPD65R400CEAUMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
81872
部件號碼
IPD65R400CEAUMA1-DG
單位價格
0.38
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
STD30NE06L
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
STP26N60DM6
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
STP11NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
