製造商產品編號:
STB24N60M2
Product Overview
製造商:
STMicroelectronics
零件編號:
STB24N60M2-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
详细描述:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
庫存:
12876316
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STB24N60M2 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
STMicroelectronics
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
MDmesh™ II Plus
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
18A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1060 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
150W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
STB24
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
497-13575-6
497-13575-1
497-13575-2
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPB60R160C6ATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
3347
部件號碼
IPB60R160C6ATMA1-DG
單位價格
1.71
替代類型
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