STB23NM60N
製造商產品編號:

STB23NM60N

Product Overview

製造商:

STMicroelectronics

零件編號:

STB23NM60N-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
详细描述:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK

庫存:

12873818
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

STB23NM60N 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
STMicroelectronics
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
MDmesh™ II
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
19A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±25V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
2050 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
150W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
D2PAK
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
STB23N

資料表及文件

數據表

額外資訊

標準套餐
1,000
其他名稱
497-7943-6
497-7943-1
497-7943-2
STB23NM60N-DG

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
R6020KNJTL
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
1540
部件號碼
R6020KNJTL-DG
單位價格
1.47
替代類型
Similar
部件編號
R6024ENJTL
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
831
部件號碼
R6024ENJTL-DG
單位價格
1.59
替代類型
Similar
部件編號
R6020ENJTL
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
9101
部件號碼
R6020ENJTL-DG
單位價格
1.15
替代類型
Similar
部件編號
AOB20S60L
製造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
可用數量
788
部件號碼
AOB20S60L-DG
單位價格
1.37
替代類型
Similar
部件編號
SPB20N60C3ATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
4719
部件號碼
SPB20N60C3ATMA1-DG
單位價格
2.53
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
stmicroelectronics

STW11NB80

MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3

stmicroelectronics

STFU15N80K5

MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP

stmicroelectronics

STS5N15F3

MOSFET N-CH 150V 5A 8SO

stmicroelectronics

STF26N60M2

MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP