製造商產品編號:
STB155N3LH6
Product Overview
製造商:
STMicroelectronics
零件編號:
STB155N3LH6-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
庫存:
12872557
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STB155N3LH6 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
STMicroelectronics
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
80A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
80 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
3800 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
110W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
STB155
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
497-11323-1
-497-11323-5-DG
497-11323-2
-497-11323-5
-497-11323-6
-497-11323-1
-497-11323-2
497-11323-5
497-11323-5-DG
497-11323-6
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPD90N03S4L03ATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
808
部件號碼
IPD90N03S4L03ATMA1-DG
單位價格
0.70
替代類型
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