製造商產品編號:
SCT10N120
Product Overview
製造商:
STMicroelectronics
零件編號:
SCT10N120-DG
描述:
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
详细描述:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™
庫存:
12878188
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
SCT10N120 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
STMicroelectronics
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源電壓 （Vdss）
1200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
12A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
690mOhm @ 6A, 20V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
22 nC @ 20 V
Vgs （最大值）
+25V, -10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
290 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
150W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
HiP247™
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
SCT10
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
100
其他名稱
497-16597-5
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
相關產品
STL24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
STB7ANM60N
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
STW15NM60N
MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
