製造商產品編號:
2N6660
Product Overview
製造商:
Solid State Inc.
零件編號:
2N6660-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
详细描述:
N-Channel 60 V 1.1A (Tc) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
庫存:
3575 全新原裝現貨
12974056
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
2N6660 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Manufacturers
包裝
Box
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
1.1A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 1mA
Vgs （最大值）
±40V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
50 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
6.25W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-39
包裝 / 外殼
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
10
其他名稱
2383-2N6660
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
DIGI 認證
相關產品
PJF6NA90_T0_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
NTMFS4C822NAT1G
TRENCH 6 30V NCH
NVBG015N065SC1
SIC MOS D2PAK-7L 650V
