製造商產品編號:
VT6M1T2CR
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
VT6M1T2CR-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
详细描述:
Mosfet Array 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6
庫存:
64626 全新原裝現貨
13525860
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VT6M1T2CR 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Logic Level Gate, 1.2V Drive
漏源電壓 （Vdss）
20V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 100µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
-
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
7.1pF @ 10V
功率 - 最大值
120mW
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
6-SMD, Flat Leads
供應商設備包
VMT6
基本產品編號
VT6M1
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
8,000
其他名稱
VT6M1T2CRCT
VT6M1T2CRTR
VT6M1T2CRDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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