製造商產品編號:
US6J11TR
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
US6J11TR-DG
描述:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
详细描述:
Mosfet Array 12V 1.3A 320mW Surface Mount TUMT6
庫存:
5885 全新原裝現貨
13527012
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US6J11TR 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
12V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
2.4nC @ 4.5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
290pF @ 6V
功率 - 最大值
320mW
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
6-SMD, Flat Leads
供應商設備包
TUMT6
基本產品編號
US6J11
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
US6J11DKR
US6J11CT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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