SH8M4TB1
製造商產品編號:

SH8M4TB1

Product Overview

製造商:

Rohm Semiconductor

零件編號:

SH8M4TB1-DG

描述:

MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
详细描述:
Mosfet Array 30V 9A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP

庫存:

13525516
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SH8M4TB1 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
-
系列
-
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 (Vdss)
30V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
9A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 1mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1190pF @ 10V
功率 - 最大值
2W
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包
8-SOP
基本產品編號
SH8M4

資料表及文件

數據表

額外資訊

標準套餐
2,500
其他名稱
SH8M4TB1CT
SH8M4TB1DKRINACTIVE
SH8M4TB1DKR
SP8M4TB
SP8M4TBTR-ND
SP8M4TBCT-ND
SP8M4TBCT
SP8M4TBDKR
SH8M4TB1CTINACTIVE
SP8M4TBDKR-ND
SH8M4TB1TRINACTIVE
SP8M4TBTR
SH8M4TB1TR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
FDS8858CZ
製造商
onsemi
可用數量
18185
部件號碼
FDS8858CZ-DG
單位價格
0.32
替代類型
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部件編號
SH8MA4TB1
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
19273
部件號碼
SH8MA4TB1-DG
單位價格
0.42
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