製造商產品編號:
SCT2H12NYTB
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
SCT2H12NYTB-DG
描述:
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
详细描述:
N-Channel 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount TO-268
庫存:
13526914
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SCT2H12NYTB 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源電壓 （Vdss）
1700 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
4A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 410µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
14 nC @ 18 V
Vgs （最大值）
+22V, -6V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
184 pF @ 800 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
44W (Tc)
工作溫度
175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-268
包裝 / 外殼
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
基本產品編號
SCT2H12
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
400
其他名稱
SCT2H12NYTBTR
SCT2H12NYTBCT
SCT2H12NYTBDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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