製造商產品編號:
SCT2120AFC
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
SCT2120AFC-DG
描述:
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
详细描述:
N-Channel 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-220AB
庫存:
13526957
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SCT2120AFC 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
29A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
156mOhm @ 10A, 18V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 3.3mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs （最大值）
+22V, -6V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1200 pF @ 500 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
165W (Tc)
工作溫度
175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220AB
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
SCT2120
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
SCT2120AFCU
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPP65R190E6XKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
580
部件號碼
IPP65R190E6XKSA1-DG
單位價格
1.52
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單位價格
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