製造商產品編號:
RS1E300GNTB
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
RS1E300GNTB-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP
详细描述:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
庫存:
13080459
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
RS1E300GNTB 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
包裝
Tape & Reel (TR)
零件狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
30A (Ta), 80A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
39.8 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2500 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3W (Ta), 33W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-HSOP
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
RS1E
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
846-RS1E300GNTR
RS1E300GNTBTR
RS1E300GNTBDKR
RS1E300GNTBCT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
部件編號
BSZ019N03LSATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
89383
部件號碼
BSZ019N03LSATMA1-DG
單位價格
0.63
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
RUR040N02HZGTL
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
RTR030P02HZGTL
MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
CMS06N10V8-HF
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8DFN
