RS1E200BNTB
製造商產品編號:

RS1E200BNTB

Product Overview

製造商:

Rohm Semiconductor

零件編號:

RS1E200BNTB-DG

描述:

MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
详细描述:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 68A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

庫存:

13525409
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RS1E200BNTB 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
30 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
20A (Ta), 68A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 1mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
3100 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
3W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-HSOP
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
RS1E

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
2,500
其他名稱
RS1E200BNTBTR
RS1E200BNTBDKR
RS1E200BNTBCT

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
BSC042N03LSGATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
11717
部件號碼
BSC042N03LSGATMA1-DG
單位價格
0.35
替代類型
Similar
部件編號
IRFHM830TRPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
8408
部件號碼
IRFHM830TRPBF-DG
單位價格
0.31
替代類型
Direct
部件編號
BSC0906NSATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
10842
部件號碼
BSC0906NSATMA1-DG
單位價格
0.20
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製造商
Texas Instruments
可用數量
14744
部件號碼
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單位價格
0.23
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