製造商產品編號:
RS1E200BNTB
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
RS1E200BNTB-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
详细描述:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 68A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
庫存:
13525409
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RS1E200BNTB 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
20A (Ta), 68A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
3100 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-HSOP
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
RS1E
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
RS1E200BNTBTR
RS1E200BNTBDKR
RS1E200BNTBCT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
BSC042N03LSGATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
11717
部件號碼
BSC042N03LSGATMA1-DG
單位價格
0.35
替代類型
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BSC0906NSATMA1
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