製造商產品編號:
RS1E130GNTB
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
RS1E130GNTB-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
详细描述:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 3W (Ta), 22.2W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
庫存:
1178 全新原裝現貨
13525749
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RS1E130GNTB 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
13A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.7mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
420 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3W (Ta), 22.2W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-HSOP
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
RS1E
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
RS1E130GNTBTR
RS1E130GNTBCT
RS1E130GNTBDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
PJQ5412_R2_00001
製造商
Panjit International Inc.
可用數量
2969
部件號碼
PJQ5412_R2_00001-DG
單位價格
0.12
替代類型
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