RQ3E180AJTB
製造商產品編號:

RQ3E180AJTB

Product Overview

製造商:

Rohm Semiconductor

零件編號:

RQ3E180AJTB-DG

描述:

MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
详细描述:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

庫存:

16588 全新原裝現貨
13526210
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RQ3E180AJTB 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
30 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
18A (Ta), 30A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.5V @ 11mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)
±12V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
4290 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2W (Ta), 30W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-HSMT (3.2x3)
包裝 / 外殼
8-PowerVDFN
基本產品編號
RQ3E180

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
RQ3E180AJTBCT
RQ3E180AJTBDKR
RQ3E180AJTBTR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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