RP1E100XNTR
製造商產品編號:

RP1E100XNTR

Product Overview

製造商:

Rohm Semiconductor

零件編號:

RP1E100XNTR-DG

描述:

MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
详细描述:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6

庫存:

13526335
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RP1E100XNTR 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
30 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
10A (Ta)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 1mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2W (Ta)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
MPT6
包裝 / 外殼
6-SMD, Flat Leads
基本產品編號
RP1E0100

額外資訊

標準套餐
1,000
其他名稱
RP1E100XNCT
RP1E100XNTRCT
RP1E100XNTRCT-ND
RP1E100XNTRDKR
RP1E100XNDKR
RP1E100XNTRDKR-ND

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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