製造商產品編號:
RP1E100XNTR
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
RP1E100XNTR-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
详细描述:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
庫存:
13526335
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RP1E100XNTR 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
10A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
800 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2W (Ta)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
MPT6
包裝 / 外殼
6-SMD, Flat Leads
基本產品編號
RP1E0100
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
RP1E100XNCT
RP1E100XNTRCT
RP1E100XNTRCT-ND
RP1E100XNTRDKR
RP1E100XNDKR
RP1E100XNTRDKR-ND
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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