製造商產品編號:
RP1E090RPTR
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
RP1E090RPTR-DG
描述:
MOSFET P-CH 30V 9A MPT6
详细描述:
P-Channel 30 V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
庫存:
13524359
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RP1E090RPTR 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
9A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.9mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
30 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
3000 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2W (Ta)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
MPT6
包裝 / 外殼
6-SMD, Flat Leads
基本產品編號
RP1E090
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
RP1E090RPDKR
RP1E090RPCT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
SI4431CDY-T1-GE3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
65416
部件號碼
SI4431CDY-T1-GE3-DG
單位價格
0.22
替代類型
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