製造商產品編號:
RHU002N06T106
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
RHU002N06T106-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
详细描述:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
庫存:
49952 全新原裝現貨
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RHU002N06T106 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
200mA (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
-
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
4.4 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
15 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
200mW (Ta)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
UMT3
包裝 / 外殼
SC-70, SOT-323
基本產品編號
RHU002
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
RHU002N06T106CT
RHU002N06T106-ND
RHU002N06T106TR
Q6155834
RHU002N06T106DKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
DIGI 認證
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