製造商產品編號:
RH6L040BGTB1
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
RH6L040BGTB1-DG
描述:
NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
详细描述:
N-Channel 60 V 40A (Tc) 59W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
庫存:
24833 全新原裝現貨
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RH6L040BGTB1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
40A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.1mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
18.8 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1320 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
59W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-HSMT (3.2x3)
包裝 / 外殼
8-PowerVDFN
基本產品編號
RH6L040
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
846-RH6L040BGTB1TR
846-RH6L040BGTB1DKR
846-RH6L040BGTB1CT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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