製造商產品編號:
RF4E070BNTR
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
RF4E070BNTR-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
详细描述:
N-Channel 30 V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
庫存:
780 全新原裝現貨
13526023
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RF4E070BNTR 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
7A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28.6mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
410 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2W (Ta)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
HUML2020L8
包裝 / 外殼
8-PowerUDFN
基本產品編號
RF4E070
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
RF4E070BNTRCT
RF4E070BNTRTR
RF4E070BNTRDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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