RF4E070BNTR
製造商產品編號:

RF4E070BNTR

Product Overview

製造商:

Rohm Semiconductor

零件編號:

RF4E070BNTR-DG

描述:

MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
详细描述:
N-Channel 30 V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8

庫存:

780 全新原裝現貨
13526023
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RF4E070BNTR 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
30 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
7A (Ta)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28.6mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
410 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2W (Ta)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
HUML2020L8
包裝 / 外殼
8-PowerUDFN
基本產品編號
RF4E070

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
RF4E070BNTRCT
RF4E070BNTRTR
RF4E070BNTRDKR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
PMPB29XNE,115
製造商
NXP USA Inc.
可用數量
19000
部件號碼
PMPB29XNE,115-DG
單位價格
0.09
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部件編號
DMG4800LFG-7
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
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