製造商產品編號:
RDX100N60FU6
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
RDX100N60FU6-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM
详细描述:
N-Channel 600 V 10A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220FM
庫存:
13526305
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RDX100N60FU6 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
10A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
45W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220FM
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
RDX100
額外資訊
標準套餐
500
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TK7A60W5,S5VX
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
80
部件號碼
TK7A60W5,S5VX-DG
單位價格
0.62
替代類型
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