RA1C030LDT5CL
製造商產品編號:

RA1C030LDT5CL

Product Overview

製造商:

Rohm Semiconductor

零件編號:

RA1C030LDT5CL-DG

描述:

NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006:
详细描述:
N-Channel 20 V 3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DSN1006-3

庫存:

14869 全新原裝現貨
12989840
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

RA1C030LDT5CL 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
20 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
3A (Ta)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.5V @ 1mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)
+7V, -0.2V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
1W (Ta)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
DSN1006-3
包裝 / 外殼
3-XFDFN

資料表及文件

數據表

額外資訊

標準套餐
15,000
其他名稱
846-RA1C030LDT5CLCT

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
toshiba-semiconductor-and-storage

TK14V65W,LQ

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM

unitedsic

UJ4SC075009B7S

750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC

nexperia

PMN25ENEAH

SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI