製造商產品編號:
R6035KNZ1C9
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
R6035KNZ1C9-DG
描述:
MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247
详细描述:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247
庫存:
13527278
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
R6035KNZ1C9 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
35A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
102mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
3000 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
379W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
R6035
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
R6035KNZ1C9DKRINACTIVE
R6035KNZ1C9TR-ND
R6035KNZ1C9CT-ND
R6035KNZ1C9INACTIVE
R6035KNZ1C9CT
R6035KNZ1C9DKR-ND
R6035KNZ1C9TR
R6035KNZ1C9DKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
相關產品
RQ3E180BNTB
MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
RDN050N20FU6
MOSFET N-CH 200V 5A TO220FN
RZL025P01TR
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
