R6035KNZ1C9
製造商產品編號:

R6035KNZ1C9

Product Overview

製造商:

Rohm Semiconductor

零件編號:

R6035KNZ1C9-DG

描述:

MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247
详细描述:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247

庫存:

13527278
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R6035KNZ1C9 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
35A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
102mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 1mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
379W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
R6035

資料表及文件

數據表

額外資訊

標準套餐
30
其他名稱
R6035KNZ1C9DKRINACTIVE
R6035KNZ1C9TR-ND
R6035KNZ1C9CT-ND
R6035KNZ1C9INACTIVE
R6035KNZ1C9CT
R6035KNZ1C9DKR-ND
R6035KNZ1C9TR
R6035KNZ1C9DKR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
STW33N60DM2
製造商
STMicroelectronics
可用數量
538
部件號碼
STW33N60DM2-DG
單位價格
2.59
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